[29a-G11-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29a-G11-4] InSb/Al_0.25In_0.75Sb HEMTの作製及び特性評価 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○高橋維¹，小畑卓也¹，古仲佑太朗¹，高木裕介¹，原紳介¹，藤代博記¹，渡邊一世²，山下良美²，遠藤聡²，笠松章史² (東理大院基礎工¹，情通機構²)

キーワード：HEMT、InSb