2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29a-G11-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年3月29日(金) 09:30 〜 11:30 G11 (B5号館 2F-2205)

[29a-G11-5] 耐圧(BVCEO)12Vかつfmax=370GHzを有する0.25μm InP/InGaAs DHBT (10:30 AM ~ 10:45 AM)

柏尾典秀,栗島賢二,井田実 (NTTフォトニクス研)

キーワード:ヘテロ接合バイポーラトランジスタ