[29a-G19-1~10] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29a-G19-10] 新規アモルファス酸化物半導体Cd-M-O薄膜(M = Ga, Si)の作製とバンドギャップ制御 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○柳博¹，佐藤千友紀¹，高木暢人¹，鈴木一誠²，小俣孝久²，神谷利夫³，細野秀雄^3,4 (山梨大工¹，大阪大工²，東工大応セラ研³，東工大フロンティア研⁴)

キーワード：アモルファス酸化物半導体