2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・評価

[29a-G6-1~12] 13.1 基礎物性・評価

2013年3月29日(金) 09:00 〜 12:15 G6 (B5号館 1F-2106)

[29a-G6-11] ▲Edge Enhancement of Photo-Current in Si Stripes Measured by Multimode SPM (11:45 AM ~ 12:00 AM)

Leonid Bolotov1,2,Vladimir Poborchii2,多田哲也2,金山敏彦2 (筑波大物理工1,産総所2)

キーワード:フォトキャリヤー、半導体、プローブ顕微鏡