[29a-G6-1~12] 13.1 基礎物性・評価

[29a-G6-4] 非接触AFMによるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出メカニズム解析 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○（M1）竹内大智¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹，可貴裕和³，林司³ (名大院工¹，広大院先端研²，日新電機³)

キーワード：電子放出、柱状Si