[29a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[29a-G9-2] TFET におけるトンネル機構の考察:サブスレッショルド特性の温度変化 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○森貴洋，宮田典幸，福田浩一，森田行則，前田辰郎，大内真一，柳永勛，昌原明植，安田哲二，太田裕之 (産総研GNC)

キーワード：トンネルトランジスタ