[29a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[29a-G9-8] ▲Trapping and Detrapping of Carriers by Individual Dopants
in Lateral Nanoscale p-n Junctions (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○（D）Sri Purwiyanti^1,2，ダニエル モラル¹，水野武志¹，ジョコ ハルタント²，田部道晴¹ (静大¹，UI²)

キーワード：individual dopant、nanoscale p-n junction