2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15.結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29a-PB7-1~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2013年3月29日(金) 09:30 〜 11:30 PB7 (第二体育館)

[29a-PB7-15] ウェハ曲率のその場測定によるレーザ用InGaAs メタモルフィックバッファ層の最適化手法の提案 (9:30 AM ~ 11:30 AM)

中尾亮,荒井昌和,伊賀龍三,神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

キーワード:メタモルフィック