[29a-PB7-1~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29a-PB7-5] 高密度InGaAsN/GaP量子ドットの多積層化における中間層厚さの影響 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○浦上法之¹，伊藤宏成¹，関口寛人¹，岡田浩^2,1，若原昭浩¹ (豊橋技科大工¹，EIIRIS²)

キーワード：量子ドット、半導体