[29a-PB7-1~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29a-PB7-7] △InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット（10¹² cm^-2）の自己形成 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○佐野琢哉，山口浩一 (電通大　先進理工)

キーワード：自己形成量子ドット、超高密度、InAsSb/GaAs