[29p-B2-1~18] 7.6 イオンビーム一般

[29p-B2-12] △ガスクラスターイオンビームによる磁気トンネル接合素子下の平坦化 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○山口明良¹，日野浦諒¹，豊田紀章¹，原謙一²，山田公¹ (兵県大院工¹，東京エレクトロン²)

キーワード：磁気トンネル接合素子, ガスクラスターイオンビーム, 磁気抵抗メモリ, 平坦化