[29p-B2-1~18] 7.6 イオンビーム一般

[29p-B2-17] イオンビームを利用した高配向β-FeSi₂薄膜作製における照射の影響 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○濱本悟^1,2，山口憲司²，北條喜一² (茨城大¹，原子力機構²)

キーワード：sputter etching、ion irradiation、thin film