[29p-B4-1~15] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

[29p-B4-12] 高濃度G-center導入Siの蛍光の動的挙動 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○（D）大村史倫¹，村田晃一^2,3，安武裕輔¹，三木一司^2,3，深津晋¹ (東大院総合¹，物材機構²，筑波大院数物³)

キーワード：シリコン発光素子、点欠陥