[29p-B4-1~15] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

[29p-B4-4] GaAs基板上1.3 μm帯メタモルフィックInGaAs量子井戸レーザによる低駆動電流直接変調動作 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○荒井昌和，小林亘，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

キーワード：メタモルフィック