[29p-B8-1~10] シリコン系薄膜形成技術の新展開

[29p-B8-9] 水中レーザーアニール法による多結晶Ge_1-xSn_x薄膜の低温形成 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，中塚理¹，池上浩³，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²，九大院シス情³)

キーワード：Ge、Sn、laser anneal