[29p-F2-1~19] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[29p-F2-16] VO₂フリースタンディング構造体の作製と電気伝導特性評価 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○山崎翔太¹，神吉輝夫¹，Luca Pellegrino²，Nicola Manca^2,3，Antonio Siri^2,3，Daniele Marre^2,3，田中秀和¹ (阪大産研¹，CNR-SPIN²，Genova Univ.³)

キーワード：フリースタンディング、VO2、酸化物薄膜