[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-14] △アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜中のフッ素が信頼性に与える影響 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○山﨑はるか¹，石河泰明¹，上岡義弘¹，藤原将喜²，高橋英治²，安東靖典²，浦岡行治¹ (奈良先端大¹，日新電機²)

キーワード：酸化物半導体