[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-15] 溶液プロセスで作製したInZnO薄膜トランジスタにおけるチャネル層膜厚依存性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○長田至弘，石河泰明，呂莉，浦岡行治 (奈良先端大)

キーワード：酸化物半導体、チャネル膜厚