[29p-G20-3~20] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29p-G20-7] MOCVD法によるエチル系有機材料を用いた炭素ドープInGaAs層の成長 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○横浜秀雄^1,2，塩島謙次¹，荒木賀行² (福井大院工¹，オプトランス²)

キーワード：MOCVD、C-doped InGaAs