[29p-G20-3~20] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29p-G20-8] フラーレン添加GaAs pinダイオードの電気的特性 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○西永慈郎^1,2，堀越佳治³ (早大高等研¹，JSTさきがけ²，早大理工³)

キーワード：GaAs、フラーレン、MBE