[29p-G9-1~7] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[29p-G9-3] Si単電子トランジスタにおけるexcited stateのゲート電圧による変化 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○吉岡勇¹，竹中浩人¹，内田貴史¹，有田正志¹，藤原聡²，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，NTT基礎物性研²)

キーワード：単電子トランジスタ