[29p-G9-1~7] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[29p-G9-6] △チャージセンサによるシリコン2重結合量子ドットの少数電子状態観測 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○堀部浩介¹，小寺哲夫^1,2,3，蒲原知宏¹，河野行雄⁴，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³，東工大院理工⁴)

キーワード：量子ドット、シリコン、量子情報