[29p-PA2-1~10] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29p-PA2-1] InAs/AlGaSbヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長と高誘電率ゲート材料を用いたHFETの製作 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○森口航平，西坂和一，前元利彦，尾形健一，佐々誠彦 (大阪工大)

キーワード：InAs/AlGaSbヘテロ構造トランジスタ