[29p-PA2-1~10] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29p-PA2-6] GaN-HEMTスイッチング回路の放射ノイズ特性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○井手利英¹，鍛冶良作¹，清水三聡¹，水谷研治²，上野弘明²，大塚信之²，上田哲三²，田中毅² (産総研 先進パワエレ¹，パナソニック²)

キーワード：GaN、HEMT、ノイズ