[29p-PA2-1~10] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29p-PA2-7] 市販200V級GaN-HEMTとSi-SJMOSFETのスイッチング損失分析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M2）南智也¹，長南紘志²，井手利英²，清水三聡²，三浦登¹ (明大院 理工¹，産総研 先進パワエレ²)

キーワード：GaN-HEMT