[29p-PA2-1~10] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29p-PA2-8] 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いたゲート電極直下の変動要因探査 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○成田知隆，分島彰男，江川孝志 (名工大)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ