[29p-PA2-1~10] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29p-PA2-9] デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN HEMTのドレインリーク解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○大石敏之¹，林一夫¹，加茂宣卓¹，山口裕太郎¹，大塚浩志¹，山中宏治¹，中山正敏¹，宮本恭幸² (三菱電機¹，東工大²)

キーワード：GaN、デバイスシミュレーション、トランジスタ