PDF ダウンロード スケジュール 1 いいね! 0 [29p-PB1-15] GaSb(100)-c(2x6)表面に形成したHfO2 MOSキャパシタの電気特性 (1:30 PM ~ 3:30 PM) ○宮田典幸1,大竹晃浩2,市川昌和3,安田哲二1 (産総研1,物材機構2,東大院工3) キーワード:III-V チャネル、GaSb、HfO2