[29p-PB3-1~6] 13.7 シミュレーション

[29p-PB3-6] STI型ULSI素子の転位蓄積に伴う電気特性変化(2) (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）島田健太¹，白木靖寛¹，丸泉琢也¹，早川幸一¹，高橋陽祐²，佐藤満弘²，山口憲³ (都市大¹，北見工大²，アドバンスソフト³)

キーワード：半導体、転位、シミュレーション