[29p-PB4-1~25] 15.6 IV族系化合物

[29p-PB4-3] SiC中の螺旋転位の構造及び電子状態に関する理論的研究(II) (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山崎隆浩¹，奈良純²，甲賀淳一朗³，宇田毅³，黒田明義⁴，南一生⁴，大野隆央^2,5 (富士通研¹，物材機構²，ASMS³，理研⁴，東大生研⁵)

キーワード：貫通螺旋転位、TSD、第一原理計算