[30a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[30a-G21-10] △窒化物LED低温製造プロセスの開発 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○中村英司¹，上野耕平¹，井上茂²，太田実雄²，藤岡洋^2,3，尾嶋正治¹ (東大院工¹，東大生研²，JST-CREST³)

キーワード：GaN、p型GaN、低温