2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[30a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月30日(土) 09:00 〜 12:00 G21 (B5号館 4F-2405)

[30a-G21-8] ▲GaN growth on graphene by pulsed sputtering deposition (11:00 AM ~ 11:15 AM)

Jeongwoo Shon1,太田実雄1,上野耕平1,藤岡洋1,2 (東大1,JST-CREST2)

キーワード:GaN、Graphene、PSD