[30p-A7-1~8] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[30p-A7-7] ▼Influence of interface termination layer on temperature dependence of tunneling magnetoresistance of Co₂MnSi/MgO-based magnetic tunnel junctions (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○劉宏喜¹，本田佑輔¹，松田健一¹，植村哲也¹，山本眞史¹，石峰源²，Paul Voyles² (北大情報¹，Univ. of Wisconsin-Madison²)

キーワード：Heusler alloy