[17p-B1-1~3] 17.4 デバイス応用

2014年9月17日(水) 13:15 〜 14:00 B1 (セミナー１)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

昼食11:45～13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:30

[17p-B1-1] Al₂O₃絶縁膜を用いたトップゲート型MoS₂ FETの試作

^○二之宮成樹^1,2，森貴洋²，内田紀行²，渡辺英一郎³，津谷大樹³，森山悟士³，田中正俊¹，安藤淳² (横国大院工¹，産総研²，物材機構³)

13:30 〜 13:45

^○（M2）須藤亮太¹，田島圭一郎¹，安川奈那¹，北田祐太²，永村直佳²，本間格²，堀場弘司³，尾嶋正治³，吹留博一¹，末光眞希¹ (東北大通研¹，東北大多元研²，東大放射光連携研究機構³)

13:45 〜 14:00

^○舟橋一真¹，蒲江¹，Lain-Jong Li²，岩佐義宏^3,4，竹延大志^1,5 (早大応物¹，Academia Sinica²，東大工³，理研CEMS⁴，早大材研⁵)