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コードシェアセッション » 6.1強誘電体薄膜，9.1誘電材料・誘電体のコードシェアセッション

[19p-A9-1~15] 6.1強誘電体薄膜，9.1誘電材料・誘電体のコードシェアセッション

2014年9月19日(金) 13:15 〜 17:45 A9 (E208)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食11:45～13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:45

[19p-A9-1] 「6.1・9.1コードシェアセッション分科内招待講演」（30分）
非鉛系圧電体を用いた超音波流量計の開発と材料科学 --- 次世代の誘電・圧電研究の方向性 ---

^○鶴見敬章，保立萌衣，吉留大地，保科拓也，武田博明 (東工大院理工)

13:45 〜 14:00

[19p-A9-2] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
(Ba, Sr)TiO₃系強誘電体のチューナブル性能におけるドメインの寄与

^○寺西貴志，曽我部剛，林秀考，岸本昭 (岡山大工)

14:00 〜 14:15

[19p-A9-3] (Bi_0.5K_0.5)TiO₃-BiFeO₃-K(Nb, Ta)O₃強誘電体の物性、結晶・電子構造と強誘電特性

^○（M2）宮﨑浩輔，石田直哉，北村尚斗，井手本康 (東京理科大)

14:15 〜 14:30

[19p-A9-4] (Na,Ba)(Nb,Ti)O₃セラミックスの電気的特性に及ぼす添加物の影響

^○青柳倫太郎，坂野聡一 (名工大院工)

14:30 〜 14:45

[19p-A9-5] (K,Na)(Nb,W)O₃系強誘電体の強誘電特性、結晶構造の組成依存

井手本康，^○（M1）中島健太郎，石田直哉，北村尚斗 (東京理科大)

14:45 〜 15:00

△ [19p-A9-6] 斜方晶構造を持つエピタキシャルHfO₂系薄膜の作製と評価

^○清水荘雄¹，舟窪浩^1,2 (東工大元素¹，東工大総理工²)

15:00 〜 15:15

△ [19p-A9-7] (Hf,Zr)O₂薄膜の電気特性と結晶構造の評価

^○白石貴久¹，片山きりは¹，横内達彦¹，清水荘雄¹，及川貴弘¹，内田寛²，舟窪浩¹ (東工大¹，上智大²)

休憩15:15～15:30 (15:15 〜 15:30)

15:30 〜 16:00

[19p-A9-8] 「6.1・9.1コードシェアセッション分科内招待講演」（30分）
KTa_1-xNb_xO₃単結晶を用いた光ビームステアリングデバイス

^○今井欽之 (NTTフォトニクス研)

16:00 〜 16:15

△ [19p-A9-9] KTN結晶の電界誘起相転移を用いた低電圧駆動の光位相変調

^○稲垣卓弘¹，今井欽之²，宮津純²，武居弘樹¹，小林潤也² (NTT物性研¹，NTTフォトニクス研²)

16:15 〜 16:30

△ [19p-A9-10] 高効率水リフトオフプロセスに向けたアモルファスCaOの潮解現象に関する検証

^○（M2）丹羽貴大，東浦俊太，今澤優子，石島達夫，川江健，森本章治 (金沢大)

16:30 〜 16:45

△ [19p-A9-11] キレート剤を用いた大口径非鉛KNN圧電薄膜のウエットエッチング(II)

^○堀切文正，柴田憲治，末永和史，渡辺和俊，野口将希 (日立金属)

16:45 〜 17:00

[19p-A9-12] 圧電MEMS向けドライエッチングプロセスの開発

^○山本直志，上村隆一郎 (アルバック半電研)

17:00 〜 17:15

[19p-A9-13] 振動発電素子と強誘電体メモリからなるバッテリレス衝撃記憶素子

^○金子幸広，西谷雄，上田路人，表篤志 (パナソニック先端研)

17:15 〜 17:30

△ [19p-A9-14] BiFeO₃薄膜を用いた多自由度圧電MEMS振動発電素子の試作

^○苅谷健人¹，吉村武¹，村上修一²，藤村紀文¹ (阪府大院工¹，産技総研²)

17:30 〜 17:45

[19p-A9-15] 強誘電体セラミックス,PVDF,PMN-PT結晶の電気熱量効果

^○眞岩宏司 (湘南工大)

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