[17a-A17-1~13] 15.6 IV族系化合物

△ [17a-A17-8] 1度オフ4H-SiC Si面エピタキシャル成長における積層欠陥密度の低減

^○升本恵子^1,2，浅水啓州^1,3，田村謙太郎^1,3，工藤千秋^1,4，西尾譲司^1,5，児島一聡^1,2，大野俊之^1,6，奥村元^1,2 (FUPET¹，産総研²，ローム³，パナソニック⁴，東芝⁵，日立⁶)

キーワード：SiC,エピタキシャル成長,積層欠陥