PDF ダウンロード スケジュール 12 いいね! 0 11:15 〜 11:30 [17a-A17-9] 2度off4H-SiC Si面エピ成長における表面欠陥低減 ○浅水啓州1,2,工藤千秋1,3,伊藤佐千子1,4,升本恵子1,4,西尾譲司1,5,田村謙太郎1,2,児島一聡1,4,大野俊之1,6 (FUPET1,ローム2,パナソニック3,産総研4,東芝5,日立製作所6) キーワード:SiC