[17a-C5-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-C5-5] ECR-MBE法で作製したグラフェン単層膜付/SiO₂/Si(001)基板上GaN薄膜(t～250nm)成長におけるグラフェン単層膜の影響 (II)

^○淀徳男¹，楊楠¹，石川智暁¹，金子智^3,2，塩尻大士²，松田晃史²，吉本護² (大阪工大¹，東工大²，神奈川県産技センター³)

キーワード：グラフェン,GaN