[17a-C5-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-C5-6] MOMBEを用いたGaN初期成長に与えるその場N₂マイクロプラズマ処理の効果

^○鈴木陽平¹，日下部安宏¹，丸山隆浩¹，成塚重弥¹，清水一男²，金田省吾² (名城大理工¹，静岡大工²)

キーワード：GaN