[17a-C5-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17a-C5-7] PAMBE法によるAlN/GaN多層構造作製における極薄GaN層の成長制御性に関する検討

^○金子光顕，木本恒暢，須田淳 (京大院工)

キーワード：MBE,AlN,GaN