2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

06.薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17p-A10-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年9月17日(水) 13:15 〜 17:45 A10 (E214)

15:15 〜 15:30

[17p-A10-9] MoS2を用いたフォトトランジスタ構造の作製と評価

○(M2)広瀬宗一郎1,小林拓平1,川江健2,森本章治2 (金沢大院自然1,金沢大理工2)

キーワード:半導体,MoS2,フォトトランジスタ