[17p-A16-1~14] 13.4 デバイス／集積化技術

[17p-A16-12] HfOx抵抗変化メモリにおけるスイッチング特性の酸化物膜厚依存性

^○伊藤大介，大塚慎太郎，濱田佳典，清水智弘，新宮原正三 (関西大)

キーワード：抵抗変化メモリ