17:30 〜 17:45
[17p-A16-14] Cu/MoOx/TiN ReRAMの初期スイッチ過程における導電フィラメント
キーワード：抵抗変化メモリ,導電フィラメント,その場TEM観察
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.4 デバイス／集積化技術
[17p-A16-1~14] 13.4 デバイス／集積化技術
2014年9月17日(水) 14:00 〜 17:45 A16 (E307)
一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.4 デバイス／集積化技術
2014年9月17日(水) 14:00 〜 17:45 A16 (E307)
17:30 〜 17:45
キーワード：抵抗変化メモリ,導電フィラメント,その場TEM観察