[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17p-A27-12] THzエリプソメトリーによるサファイア基板上GaN膜の電気特性測定

^○藤井高志^1,4，岩本敏志¹，佐藤幸徳¹，上山智²，長島健³，荒木努⁴ (日邦プレシジョン¹，名城大²，摂南大³，立命館大⁴)

キーワード：THzエリプソメトリー,窒化ガリウム,キャリア濃度