[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17p-A27-13] MgドープAlGaNによるAlGaN/GaN HFET型紫外フォトセンサーの高性能化

^○山本雄磨¹，村瀬卓弥¹，草深敏匡¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大・赤崎記念研究センター²)

キーワード：紫外受光素子