[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17p-A27-3] 変調ドープGaNキャップ層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造における ホール移動度の温度依存性

^○安藤彰浩¹，長田大和²，上村隆一郎²，分島彰男¹，江川孝志¹ (名工大¹，ULVAC²)

キーワード：GaN,Hall