[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17p-A27-6] 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と評価

^○藤田周，三好実人，江川孝志 (名工大)

キーワード：GaN,HEMT