[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17p-A27-9] Si基板上に成長したAlGaN/GaN HEMTエピにおけるバッファ構造と耐圧の関係

^○渡邉則之，田邉真一，前田就彦，松崎秀昭 (NTT PH研)

キーワード：Si基板上AlGaN/GaN HEMT,バッファリーク電流