[17p-A8-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

[17p-A8-6] ダイヤモンドへの低エネルギーSiイオン注入におけるSi-Vセンタ生成収率の評価

^○（M2）田村崇人¹，小池悟大¹，谷井孝至¹，寺地徳之²，小野田忍³，大島武³，Fedor Jelezko⁴，E Wu⁵，品田賢宏⁶，磯谷順一⁷，Liam P. Mcguinness⁴，Lachlan Rogers⁴，Christoph Müller⁴，Boris Naydenov⁴，Liu Yan⁵ (早大理工¹，物材機構²，原子力機構³，ウルム大⁴，華東師範大⁵，産総研⁶，筑波大⁷)

キーワード：単一光子源,Si-V,発光センター