2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-C5-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月17日(水) 13:15 〜 18:45 C5 (オープンホール)

18:30 〜 18:45

[17p-C5-18] UHV スパッタエピタキシー法によるInN 層の成長 (III)

○(M2)福井迪,小橋勇希,多田暁由,神田赳志,篠田宏之,六倉信喜 (東京電機大工)

キーワード:InN